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第724章 真假3D芯片（第2页）

提高芯片的集成度，本质上来说，就是提高单位面积上晶体管数目的过程。

LELE技术，把一个图层分批加工刻蚀，达到图案增密的效果。

多层封装，干脆就是把多层芯片摞在一起。

这多简单。

（在中芯国际发生的，梁孟松辞职案，梁孟松与蒋尚义之间的分歧，就是LELE技术与多层封装路线之争。）

多层芯片技术成熟后，在内存，Flash闪存等领域得到了普及。因为这些芯片的图案，各层之间是一致的。

于是内存芯片的层数，就开始了不断增长的过程。后世投入商用的层数，高达256层了。

在3D封装技术的加持下，内存芯片上的有效晶体管密度，算起来，早就低于1纳米了，甚至低于0.1纳米！

林晶圆的多层封装技术，经过近两年的探索，即将进入实用阶段。

多层封装中最困难的步骤，就是层间打孔技术。

这个技术一突破，剩下的就没有什么了。

在3D封装技术的加持下，林晶圆的内存产品，即将面世。

张百华团队，将被独立出来，成立内存事业部，将来甚至会被分拆。

虽然Flash闪存市场还没有成气候，但仅仅是RAM内存一块，其市场规模和容量，就达到数千亿美元级别，接近，甚至超过TFT液晶了。

这个市场，林晶圆无法独享，但是先手一步棋的价值，至少以百亿美元计算。

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“师姐，张师兄他们的内存马上要面世了，你的真三维芯片什么时候面世呢？”

一群人来了兴致。

真三维芯片，肯定比假三维来得高大上啊。

“嗯，我也不知道。现在有很多困难。我感觉弄不好十年之内都实用不了。”

魏惜寒团队研究的东西，被后世称为Fi，和GAP。至于是否真的是同一个东西，就连成永兴也无法确认。

3维芯片面世的主要难点在于加工成本，和材料。

虽然3维结构的半导体原件，有很多优点，例如更低的电流损耗，更高的密度等。但不是所有半导体器件都能做成三维结构。

在同一层电路上，有些是三维结构，有些是二维的，那么在向上加工的时候，就会在高层空间上产生浪费现象。

所以，采用3维芯片结构，获得的收益，远远低于付出的加工成本。后世是在14纳米遇阻的情况下，硬着头皮突破的。

“就这样光研究，没有产出？”

大家闻言，失望之情，溢于言表。

“暂时是这样，不过也不能算没有收获。至少专利申请了一大堆。”

即使面对的曾经的队友，学妹，魏惜寒还是没有实话实说。

一些研究成果，已经有了相当的实用性。

但技术什么时候能够商用，则取决于公司的战略需要。

随着时间的流逝，林晶圆的立身之本，LELE技术慢慢曝光了。3D技术，就是新的杀手锏和战略武器。

不过据魏惜寒估计，这个时间不会来得太晚。